ایجاد و سرکوب تداخل الکترومغناطیسی در منابع تغذیه سوئیچینگ

تولید و سرکوب تداخل الکترومغناطیسی در منابع تغذیه سوئیچینگ

نقطه ضعف برجسته منابع تغذیه حالت سوئیچ، توانایی ایجاد تداخل الکترومغناطیسی قوی (EMI) است. سیگنال های EMI دارای محدوده فرکانسی وسیع و دامنه مشخصی هستند و پس از رسانش و تابش می توانند محیط الکترومغناطیسی را آلوده کرده و باعث ایجاد تداخل در تجهیزات ارتباطی و محصولات الکترونیکی شوند. اگر به درستی مدیریت نشود، منبع تغذیه سوئیچینگ خود به یک منبع تداخل تبدیل می شود. تاثیر تداخل الکترومغناطیسی بر کارایی، عملکرد و استفاده از منابع تغذیه سوئیچینگ به موضوعی داغ تبدیل شده است. این مقاله علل و مسیرهای انتشار تداخل الکترومغناطیسی در منابع تغذیه حالت سوئیچ را تجزیه و تحلیل می‌کند و اقدامات مؤثری برای سرکوب تداخل پیشنهاد می‌کند.

هسته مدار سوئیچ نیز یکی از منابع اصلی تداخل است که عمدتاً از لوله های سوئیچ و ترانسفورماتورهای فرکانس بالا- تشکیل شده است. dv/dt تولید شده توسط لوله سوئیچینگ دارای پالس های بزرگ، باند فرکانسی گسترده و هارمونیک های فراوان است. دلیل اصلی این تداخل پالس:

در لحظه ای که لوله سوئیچ روشن می شود، یک جریان موج بزرگ در سیم پیچ اولیه ترانسفورماتور ایجاد می شود و پیک ولتاژ بالا در هر دو انتهای سیم پیچ اولیه ظاهر می شود. در لحظه خاموش شدن سوئیچ، به دلیل شار نشتی سیم پیچ اولیه، بخشی از انرژی از سیم پیچ اولیه به سیم پیچ ثانویه منتقل نمی شود. انرژی ذخیره شده در اندوکتانس نشتی یک نوسان فروپاشی با یک پیک با ظرفیت بین قطبی و مقاومت خود لوله سوئیچ تشکیل می دهد که بر روی ولتاژ خاموش لوله سوئیچ قرار می گیرد و یک ولتاژ پیک خاموش را تشکیل می دهد. این نویز به پایانه های ورودی و خروجی منتقل می شود و تداخل هدایت شده ایجاد می کند.

60V 5A Bench Source

تولید و سرکوب تداخل الکترومغناطیسی در منابع تغذیه سوئیچینگ

محلات

ارسال درخواست