راه حل هایی برای منابع تداخل EMI که بر منبع تغذیه سوئیچینگ تأثیر می گذارند
به طور کلی ، تابش خارجی ، اعتصاب رعد و برق یا ارتعاشات شبکه ، تظاهرات اصلی منابع تداخل EMI در منبع تغذیه سوئیچ است که می تواند با اجزای مرتبط مانند دیودهای یکسو کننده ، ترانسفورماتورهای با فرکانس بالا ، لوله های سوئیچینگ برق و سایر عوامل محیطی خارجی تداخل داشته باشد.
در مرحله اول ، کانال های انتقال تداخل تابش را معرفی کنید
(1) در منبع تغذیه حالت سوئیچ ، اجزای و سیم هایی که می توانند منابع تداخل اشعه را تشکیل دهند ، آنتن فرض می شوند و با استفاده از تئوری های دو قطبی برقی و دو قطبی مغناطیسی مورد تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. دیودها ، خازن ها و دستگاههای سوئیچینگ برق را می توان فرض کرد که قطرهای برقی هستند ، در حالی که می توان کویل های القایی را دو قطب مغناطیسی فرض کرد.
(2) هنگامی که بدن محافظ وجود نداشته باشد ، کانال انتقال امواج الکترومغناطیسی تولید شده توسط قطرهای برقی و قطب های مغناطیسی هوا است (که می توان آن را فضای آزاد فرض کرد).
(3) هنگامی که یک بدن محافظ وجود دارد ، شکاف ها و سوراخ های بدن محافظ را در نظر بگیرید و آنها را مطابق مدل ریاضی میدان نشت تجزیه و تحلیل و پردازش کنید.
ثانیا ، این کانال انتقال برای انجام تداخل است
(1) اتصال خازنی
(2) اتصال القایی
(3) جفت مقاومت
الف اتصال هدایت مقاومت ناشی از مقاومت داخلی منبع تغذیه عمومی
ب. اتصال هدایت مقاومت ناشی از امپدانس سیم زمین عمومی
ج. اتصال هدایت مقاومت ناشی از امپدانس خطوط عمومی
موارد زیر طرح های سرکوب مربوط به منابع تداخل EMI است:
1. محافظت از ترانسفورماتورهای با فرکانس بالا
برای جلوگیری از تداخل میدان مغناطیسی ترانسفورماتورهای با فرکانس بالا ، از نوارهای محافظ می توان برای محافظت از میدان مغناطیسی نشت ترانسفورماتورهای با فرکانس بالا استفاده کرد. نوار محافظ به طور کلی از فویل مس ساخته شده است ، که در قسمت بیرونی ترانسفورماتور پیچیده شده و زمینی پیچیده شده است. نوار محافظ یک حلقه اتصال کوتاه نسبت به میدان مغناطیسی نشت است و از این طریق نشت طیف وسیعی از میدان مغناطیسی نشت را سرکوب می کند.
ترانسفورماتورهای فرکانس بالا جابجایی نسبی بین هسته های مغناطیسی و سیم پیچ ها را تجربه می کنند و در نتیجه در حین کار نویز (سوت ، لرزش) ایجاد می شود. برای جلوگیری از این سر و صدا ، باید اقدامات تقویت کننده برای ترانسفورماتور انجام شود:
(1) از رزین اپوکسی برای پیوند دادن سه سطح تماس هسته های مغناطیسی (مانند هسته EE و EI) برای سرکوب جابجایی نسبی استفاده کنید.
(2) با استفاده از چسب "مهره های شیشه ای" برای پیوند دادن هسته مغناطیسی نتایج بهتری دارد.
