چگونه می توان از مولتی متر برای تشخیص کیفیت لوله های اثر میدانی استفاده کرد؟
با توجه به وجود یک دیود میرایی بین قطب های DS از MOSFET های متداول ، عملکرد MOSFET ها را می توان با استفاده از سطح دیود یک مولتی متر دیجیتال برای تشخیص افت ولتاژ دیود بین قطب های DS تعیین کرد. روش تشخیص دقیق به شرح زیر است.
سوئیچ دنده مولتی متر دیجیتال را به حالت دیود بچرخانید ، کاوشگر قرمز را به قطب S و پروب سیاه به قطب D وصل کنید. در این زمان ، صفحه مولتی متر مقدار افت ولتاژ دیود بین قطب های DS را نشان می دهد. مقدار قطره ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدان با قدرت بالا معمولاً بین 0 4 و 0. 8V (بیشتر در اطراف {7}}} 6V) است. هیچ ولتاژ بین پروب سیاه متصل به قطب S وجود ندارد ، پروب قرمز متصل به قطب D ، و قطب G و پین های دیگر (به عنوان مثال ، در یک ترانزیستور اثر میدانی N-channel ، یک ترانزیستور اثر میدان P-channel باید یک مقدار قطره ولتاژ داشته باشد که پروب قرمز به قطب D وصل شود) به Probe D وصل شده است). در مقابل ، این نشان می دهد که ترانزیستور اثر میدانی آسیب دیده است.
ترانزیستورهای اثر میدانی معمولاً در اثر خرابی آسیب می بینند و در این حالت ، پین ها معمولاً در حالت اتصال کوتاه قرار می گیرند. بنابراین ، مقدار افت ولتاژ بین پین ها نیز باید OV باشد. پس از هر اندازه گیری ترانزیستور اثر میدانی MOS ، مبلغ کمی از شارژ در خازن اتصال GS شارژ می شود و یک ولتاژ UGS ایجاد می کند. هنگام اندازه گیری دوباره ، پروب ممکن است حرکت نکند (در صورت استفاده از مولتی متر دیجیتال ، خطای اندازه گیری بزرگ خواهد بود). در این زمان ، پایانه های GS به طور خلاصه مدار کوتاه را انجام دهید.
آسیب ترانزیستورهای اثر میدانی معمولاً در اثر خرابی و مدار کوتاه ایجاد می شود. در این زمان ، اندازه گیری با مولتی متر ، پین ها معمولاً به هم پیوسته می شوند. پس از آسیب دیدگی ترانزیستور در زمینه ، به طور کلی هیچ خسارت ظاهری آشکار وجود ندارد. برای ترانزیستورهای تأثیر میدان آسیب دیده به شدت بیش از حد ، ممکن است منفجر شود.
