چگونه مشکل تابش بیش از حد واحد منبع تغذیه سوئیچینگ را حل کنیم

چگونه مشکل تابش بیش از حد واحد منبع تغذیه سوئیچینگ را حل کنیم

ولتاژ منبع تغذیه سوئیچینگ، نرخ تغییر جریان بسیار بالا است، که منجر به تداخل بیشتر می شود. منابع تداخل عمدتاً در دوره سوئیچینگ قدرت متمرکز می شوند و به سینک حرارتی و ترانسفورماتور سطح بالا متصل می شوند، نسبت به محل منبع تداخل مدار دیجیتال واضح تر است. فرکانس سوئیچینگ زیاد نیست (از ده ها کیلوهرتز و چندین مگاهرتز)، شکل اصلی تداخل تداخل هدایت و تداخل میدان نزدیک است.

نقاط فرکانس فردی خاص روی محلول به شرح زیر است:

در 1 مگاهرتز:
تداخل حالت دیفرانسیل اصلی است. 1. افزایش ظرفیت X. 2. اندوکتانس حالت دیفرانسیل را اضافه کنید. 3. منبع تغذیه کوچک را می توان از پردازش فیلتر نوع PI استفاده کرد (توصیه می شود خازن های الکترولیتی نزدیک ترانسفورماتور بزرگتر انتخاب شوند).

1M٪ 7b٪ 7b1٪ 7d٪ 7dMHz٪ 3a
مخلوط کردن حالت مشترک حالت دیفرانسیل، با استفاده از سمت ورودی و یک سری خازن X برای فیلتر کردن تداخل لمسی دیفرانسیل و تجزیه و تحلیل اینکه کدام نوع تداخل از استاندارد فراتر رفته و آن را حل می کند.

5 مگاهرتز:
بالاتر از تداخل لمس معمولی عمدتاً با استفاده از روش سرکوب لمس مشترک است. برای پوسته زمین، در خط زمین با یک حلقه مغناطیسی در اطراف 2 دایره خواهد شد بیش از 10MHZ تداخل است میرایی بیشتر (diudiu2006). برای 25 - 30MHZ اما می توان از آن برای افزایش ظرفیت Y به زمین استفاده کرد، در ترانسفورماتور خارج از مس نان، تغییر PCBLAYOUT، خط خروجی در مقابل اتصال دو سیم و سیم پیچ کوچک حلقه مغناطیسی، حداقل 10 دور در اطراف انتهای لوله یکسو کننده خروجی و فیلتر RC.

1M٪ 7b٪ 7b1٪ 7d٪ 7dMHZ٪ 3a
اختلاط حالت مشترک حالت دیفرانسیل، با استفاده از سمت ورودی به موازات یک سری از ظرفیت X برای فیلتر کردن تداخل دیفرانسیل و تجزیه و تحلیل تداخل بیش از استاندارد و برای حل مشکل، 1. برای تداخل حالت دیفرانسیل بیش از استاندارد می توان تنظیم به ظرفیت X، اضافه کردن یک سلف حالت دیفرانسیل، اندوکتانس حالت دیفرانسیل. 2. برای تداخل حالت مشترک بیش از استاندارد را می توان به اندوکتانس حالت مشترک اضافه کرد، انتخاب مقدار معقولی از اندوکتانس برای مهار. 3. می توانید ویژگی های دیود یکسو کننده را برای مقابله با یک جفت دیود سریع، مانند FR107 یک جفت دیود یکسو کننده معمولی 1N4007 تغییر دهید.

بالای 5 مگاهرتز:
تداخل لمس مشترک اصلی است و از روش سرکوب لمس مشترک استفاده می شود.

برای پوسته زمین، در خط زمین با یک رشته حلقه مغناطیسی در اطراف 2-3 نوبت خواهد شد بیش از 10MHZ تداخل اثر میرایی بیشتر است. می توانید فویل مس بلافاصله پس از هسته ترانسفورماتور، فویل مس حلقه بسته را انتخاب کنید. با مدار جذب یکسو کننده خروجی بک انت و اندازه خازن شنت مدار بزرگ اولیه مقابله کنید.

برای 20M-30MHz:
1. برای یک کلاس از محصولات می توان برای تنظیم ظرفیت Y2 به زمین یا تغییر موقعیت خازن Y2 استفاده کرد.

2. موقعیت ظرفیت و مقدار پارامتر Y1 را بین دو طرف اولیه و ثانویه تنظیم کنید.

3. فویل مسی را در قسمت بیرونی ترانسفورماتور قرار دهید. لایه محافظ را به درونی ترین لایه ترانسفورماتور اضافه کنید. ترتیب سیم پیچ های ترانسفورماتور را تنظیم کنید.

4. چیدمان PCB را تغییر دهید.

5. خط خروجی در مقابل اتصال یک سیم پیچ موازی دو سیم از یک سلف حالت مشترک کوچک.

6. یکسو کننده خروجی به موازات هر دو انتهای فیلتر RC و تنظیم پارامترهای معقول.

7. BEADCORE را بین ترانسفورماتور و ماسفت اضافه کنید.

8. یک خازن کوچک به پایه ولتاژ ورودی ترانسفورماتور اضافه کنید.

9. می توان برای افزایش مقاومت درایو MOS استفاده کرد.

30M{1}}MHz:
1. به طور کلی ناشی از روشن/خاموش کردن لوله MOS با سرعت بالا، می توان با افزایش مقاومت درایو MOS، مدار بافر RCD با استفاده از لوله آهسته 1N4007، ولتاژ منبع تغذیه VCC با لوله آهسته 1N4007 حل کرد.

2. مدار بافر RCD با استفاده از لوله آهسته 1N4007.

3. ولتاژ منبع تغذیه VCC با لوله آهسته 1N4007 برای حل.

4. یا قسمت جلویی خط خروجی به صورت سری با سیم پیچ موازی دو سیم از یک سلف حالت مشترک کوچک.

5. یک مدار جذب کوچک را به موازات پین DS ماسفت وصل کنید.

6 . BEADCORE را بین ترانسفورماتور و ماسفت اضافه کنید.

7. یک خازن کوچک به پایه ولتاژ ورودی ترانسفورماتور اضافه کنید.

8. چیدمان PCB زمانی که خازن الکترولیتی بزرگ، ترانسفورماتور، MOS حلقه مدار را تا حد امکان کوچک تشکیل می دهد.

9. ترانسفورماتور، دیود خروجی، خازن الکترولیتی موج تخت خروجی حلقه مدار را تا حد امکان کوچک تشکیل می دهد.