نکات برجسته فناوری منبع تغذیه سوئیچینگ
1 سوئیچینگ منبع تغذیه چگالی برق.
بهبود چگالی توان منبع تغذیه سوئیچینگ، مینیاتوری و سبک بودن آن هدفی است که مردم دائماً دنبال می کنند. این امر به ویژه برای دستگاه های الکترونیکی قابل حمل (مانند تلفن های همراه، دوربین های دیجیتال و غیره) مهم است. چندین راه خاص برای کوچک کردن منبع تغذیه سوئیچینگ وجود دارد: یکی فرکانس بالا است. برای دستیابی به چگالی توان بالای منبع تغذیه، فرکانس کاری مبدل PWM باید افزایش یابد و در نتیجه حجم و وزن اجزای ذخیره انرژی در مدار کاهش یابد. دوم استفاده از ترانسفورماتورهای پیزوالکتریک است. استفاده از ترانسفورماتورهای پیزوالکتریک باعث می شود مبدل های توان با فرکانس بالا سبک، کوچک، نازک و با چگالی توان بالا باشند. ترانسفورماتورهای پیزوالکتریک از خواص منحصر به فرد تبدیل "ولتاژ-ارتعاش" و تبدیل "ارتعاش-ولتاژ" مواد سرامیکی پیزوالکتریک برای انتقال انرژی استفاده می کنند. مدار معادل آن مانند مدار رزونانس سری موازی است و یکی از کانون های تحقیقاتی در زمینه تبدیل توان است. سومین مورد استفاده از نوع جدیدی از خازن است. به منظور کاهش حجم و وزن تجهیزات الکترونیکی قدرت، تلاش برای بهبود عملکرد خازن ها، افزایش چگالی انرژی و تحقیق و توسعه خازن های جدید مناسب برای الکترونیک قدرت و سیستم های قدرت که نیاز به ظرفیت بزرگ و معادل کوچک دارند، ضروری است. مقاومت سری (ESR). ، اندازه کوچک و غیره
2. اجزای مغناطیسی فرکانس بالا.
تعداد زیادی از قطعات مغناطیسی در سیستم قدرت استفاده می شود. مواد، ساختار و عملکرد اجزای مغناطیسی فرکانس بالا با اجزای مغناطیسی فرکانس توان متفاوت است. مشکلات زیادی برای مطالعه وجود دارد. مواد مغناطیسی مورد استفاده در اجزای مغناطیسی با فرکانس بالا باید دارای تلفات کم، عملکرد اتلاف حرارت خوب و عملکرد مغناطیسی برتر باشند. مواد مغناطیسی مناسب برای فرکانس‌های مگاهرتز توجه مردم را به خود جلب کرده و مواد مغناطیسی نرم نانوبلوری نیز ساخته و اعمال شده‌اند.
3. فن آوری تصحیح همزمان.
برای مبدل های سوئیچینگ نرم با ولتاژ پایین و جریان بالا، اقدام برای بهبود بیشتر کارایی آن، تلاش برای کاهش تلفات سوئیچ در حالت روشن است. به عنوان مثال، فناوری یکسوسازی سنکرون (SR) یعنی اتصال معکوس لوله MOS برق به عنوان دیود سوئیچینگ برای یکسوسازی به جای دیود شاتکی (SBD) استفاده می شود که می تواند افت ولتاژ لوله را کاهش دهد و در نتیجه بهبود یابد. راندمان مدار
4. سازگاری الکترومغناطیسی.
مشکل سازگاری الکترومغناطیسی (EMC) منبع تغذیه سوئیچینگ فرکانس بالا ویژگی خاص خود را دارد. di/dt و dv/dt تولید شده توسط دستگاه های نیمه هادی قدرت در طول فرآیند سوئیچینگ باعث تداخل الکترومغناطیسی هدایت شده قوی و تداخل هارمونیک و همچنین تابش میدان الکترومغناطیسی قوی (معمولاً میدان نزدیک) می شود. نه تنها محیط الکترومغناطیسی اطراف را به طور جدی آلوده می کند، بلکه باعث تداخل الکترومغناطیسی در تجهیزات الکتریکی اطراف می شود و همچنین ممکن است ایمنی اپراتورهای مجاور را به خطر بیندازد. در عین حال، مدار کنترل داخل مدار الکترونیکی قدرت (مانند مبدل سوئیچینگ) نیز باید بتواند EMI تولید شده توسط عمل سوئیچینگ و تداخل نویز الکترومغناطیسی محل برنامه را تحمل کند. بسیاری از دانشگاه‌های داخل و خارج از کشور تحقیقاتی را در زمینه تداخل الکترومغناطیسی و سازگاری الکترومغناطیسی مدارهای الکترونیکی قدرت انجام داده‌اند و به نتایج بسیار خوشحال‌کننده‌ای دست یافته‌اند.
