تجربه طراحی EMI در سوئیچینگ منابع تغذیه
1. منبع EMI برای منبع تغذیه سوئیچینگ
منابع تداخل EMI منبع تغذیه سوئیچینگ عمدتاً در لوله های سوئیچ قدرت، دیودهای یکسو کننده، ترانسفورماتورهای فرکانس بالا و غیره منعکس می شوند. تداخل محیط خارجی در منبع تغذیه سوئیچینگ عمدتاً از لرزش شبکه، صاعقه، تابش خارجی و غیره ناشی می شود.
(1) لوله سوئیچ برق
سوئیچ پاور در حالت انتقال چرخه سریع خاموش خاموش، با هر دو dv/dt و di/dt به سرعت در حال تغییر است. بنابراین، سوئیچ قدرت نه تنها منبع تداخل اصلی کوپلینگ میدان الکتریکی، بلکه منبع تداخل اصلی کوپلینگ میدان مغناطیسی است.
(2) ترانسفورماتور فرکانس بالا
منبع EMI ترانسفورماتورهای فرکانس بالا عمدتاً در تبدیل چرخه ای سریع di/dt مربوط به اندوکتانس نشتی منعکس می شود، بنابراین ترانسفورماتورهای فرکانس بالا منابع تداخل مهم برای جفت شدن میدان مغناطیسی هستند.
(3) دیود یکسو کننده
منبع EMI دیودهای یکسو کننده عمدتاً در ویژگی های بازیابی معکوس منعکس می شود. نقاط متناوب جریان بازیابی معکوس dv/dt بالایی را در سلف ها (القایی سرب، اندوکتانس سرگردان و غیره) ایجاد می کند که منجر به تداخل الکترومغناطیسی قوی می شود.
(4) PCB
به طور دقیق، PCB کانال جفت کننده منابع تداخل فوق الذکر است و کیفیت PCB مستقیماً با کیفیت سرکوب منابع EMI فوق الذکر مطابقت دارد.
2. طبقه بندی کانال های انتقال EMI برای سوئیچینگ منابع تغذیه
（1） کانال انتقال برای انجام تداخل
(1) کوپلینگ خازنی
(2) جفت القایی
(3) جفت مقاومتی
آ. کوپلینگ رسانش مقاومتی تولید شده توسط مقاومت داخلی منبع تغذیه عمومی
ب کوپلینگ رسانش مقاومتی که توسط امپدانس سیم زمین مشترک ایجاد می شود
ج کوپلینگ هدایت مقاومتی که توسط امپدانس خطوط عمومی ایجاد می شود
（2） کانال انتقال تداخل تشعشع
(1) در یک منبع تغذیه سوئیچینگ، اجزا و سیم هایی که می توانند منبع تداخل تشعشعی را تشکیل دهند را می توان به عنوان آنتن در نظر گرفت که می تواند با استفاده از تئوری های دوقطبی های الکتریکی و مغناطیسی تجزیه و تحلیل شود. دیودها، خازن ها و کلیدهای قدرت را می توان دوقطبی الکتریکی فرض کرد، در حالی که سیم پیچ های القایی را می توان دوقطبی مغناطیسی فرض کرد.
(2) هنگامی که هیچ سپر وجود ندارد، کانال انتقال امواج الکترومغناطیسی تولید شده توسط دوقطبی های الکتریکی و دوقطبی های مغناطیسی هوا است (که می توان آن را فضای آزاد فرض کرد).
(3) هنگامی که یک بدنه محافظ وجود دارد، شکاف ها و سوراخ های بدنه محافظ را در نظر بگیرید و طبق مدل ریاضی میدان نشتی تجزیه و تحلیل و پردازش کنید.
